本书全面介绍半导体物理学的基本理论，以物理科学、材料科学与工程、电子技术的眼光全面审视半导体物理的发展过程和进展情况。 本书内容包括半导体的晶体结构、常见半导体的能带结构、半导体中杂质和缺陷效应、载流子的统计计算方法、半导体导电特性、光电导效应、光伏效应、金属半导体的接触特性、半导体同质PN结、半导体异质结构、MOS结构的特性及应用、半导体发光特性、半导体量子限域效应、半导体磁效应、半导体隧穿效应等，以及建立在此基础之上的各种半导体器件的原理和应用问题。 本书可作为高等院校电子信息类本科专业的半导体物理课程教材，也可供相关科技人员参考.

郭子政 教授，理学院应用物理系主任。研究领域：1. 凝聚态理论；2. 计算机模。主持参加国家级、部省级科研课题10余项，发表论文90多篇，其中被SCI、EI收录20余篇。参编、编著教材2部。

前言 20世纪是发明的世纪。半导体科学和技术在这个发明的世纪中无疑是主角。关于这一点可以从诺贝尔奖的历史中窥见一斑。 1909年，布劳恩（Carl Braun）因为无线电报的发明而与马可尼一道获得了诺贝尔奖，布劳恩的贡献包括半导体整流效应的发现，这对于信号检测非常重要。 1956年，Bell实验室的肖克莱（W.B.Shockley）、巴丁（J.Bardeen）和布拉顿（W.H.Brattain）因为发明半导体晶体管（1948年）获得诺贝尔物理学奖。 肖克莱后来被称作“硅谷之父”，他在1958—1960年任肖克莱晶体管公司经理，管理着硅谷的第一家半导体企业。他手下曾出现过诺伊斯、摩尔这样的IT精英人物，他们曾创办仙童公司和英特尔公司。而巴丁是历史上唯一一个两次获得诺贝尔物理学奖的人，他将低温超导的BCS理论这样的财富留给了后人。 1973年，IBM公司的江崎玲玉奈（L.Easki）因为发现半导体量子隧道效应获得诺贝尔物理学奖。 1978年，当时还在Bell实验室，后来在普林斯顿大学的安德森（P.W.Anderson）和英国剑桥大学卡文迪许教授和物理系主任的莫特（N.F.Mott）因为发现金属和半导体中的无序效应及量子输运获得诺贝尔物理学奖。 1985年，德国马普固体物理研究所所长克林青（K.von Klitzing）因为发现半导体二维结构中的整数量子霍尔效应获得诺贝尔物理学奖。 1998年，当时还在Bell实验室，后来分别在哥伦比亚大学、普林斯顿大学和斯坦福大学的斯托默（H.L.Strmer）、崔琦（D.C.Tsui）、劳克林（R.B.Laughl...